TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage Power MOSFET 16-DIP

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TB67S112PG,HJ
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Tube
Ficha técnica
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TB67S112PG,HJ

TB67S112PG,HJ overview

TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage Power MOSFET 16-DIP. Key ratings: supply voltage 2V ~ 5.5V; operating temperature -40°C ~ 85°C (TA).
TB67S112PG,HJ

TB67S112PG,HJ specifications

Tipo Descripción
Estado de la Pieza Active
Tipo de Montaje Through Hole
Aplicaciones General Purpose
Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
Paquete / Carcasa 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Voltaje - Alimentación 2V ~ 5.5V
Proveedor Dispositivo Paquete 16-DIP
Función Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Tecnología Power MOSFET
Configuración de Salida Half Bridge
Corriente - Salida 1.5A
Interfaz Parallel
Voltaje - Carga 4.5V ~ 47V
Tipo de Motor - Paso a Paso Unipolar
Tipo de Motor - CA, CC -
Resolución de Paso -
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¿Qué opciones de inspección ofrecen para TB67S112PG,HJ antes del pago?

ICLee es distribuidor independiente, no franquicia autorizada. Para TB67S112PG,HJ (16-DIP (0.300", 7.62mm)), antes de pagar podemos acordar profundidad IQC: etiqueta vs ERP, revisión visual, muestra por rayos X o prueba funcional según cotización. Vea nuestra página de Control de calidad. Control de calidad →

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